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        AFM电磁学工作模式及对应探针型号

        发布时间:2022-12-14浏览:284

        AFM电磁学工作模式及对应探针型号


        PART.1

        Conductive AFM 导电原子力显微镜

        Conductive AFM (cAFM) — 导电原子力显微镜(CAFM)是一种源自接触AFM的二次成像模式,它表征了中到低导电和半导体材料的导电率变化。CAFM的电流范围为pA至μA。

        PART.2

        Tunneling AFM 峰值力隧穿原子力显微镜
        Tunneling AFM (TUNA) — 峰值力隧穿原子力显微镜(TUNA)的工作原理与导电AFM相似,但具有更高的灵敏度。TUNA表征了通过薄膜厚度的超低电流(80fA和120pA之间)。TUNA模式可以在成像或光谱模式下运行。

        PART.3

        Scanning Capacitance Microscopy 扫描电容显微镜
        Scanning Capacitance Microscopy (SCM) — 扫描电容显微镜(SCM)绘制了样品表面(通常是掺杂半导体)上大多数载流子浓度(电子或空穴)的变化。SCM向样本施加高频(90 kHz)AC偏压,并使用高频(1 GHz)检测器测量扫描样本表面时的局部样本电容变化。这些电容变化是半导体中多数载流子浓度的函数;因此,相对载流子浓度可以映射在1016–1021 cm-3的范围内。

        Laser Diode Cross Section

        PART.4

        Piezo Response Microscopy 压电力响应显微镜
        Piezo Response Microscopy (PFM) — 压电力响应显微镜(PFM)是一种基于接触模式的技术,可绘制样品上的反向压电效应。对样品进行电刺激,并使用锁定技术监测样品的地形响应。振幅和相位信息揭示了关于样品上极化的强度和方向的信息。

        PPLN PFM Data

        PART.5

        Electric Force Microscopy 静电力显微镜
        Electric Force Microscopy (EFM) — 静电力显微镜(EFM)通过导电探针测量样品表面上方的电场梯度分布。表征样品表面的静电势能,电荷分布及电荷运输等。


        Carbon black particles, 3 mm scan size

        常用探针选型:

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